1200V

أخبار التكنولوجيا

1200-V p-GaN HEMTs على ركيزة مصممة هندسيًا بقطر 200 مم: QST

[ad_1] يتطلب الاعتماد الأوسع لأجهزة GaN الطاقة بجهد أعلى من 650 فولت ابتكارات في كل من عملية الركيزة والتكامل للترانزستور…

أكمل القراءة »
زر الذهاب إلى الأعلى