FinJFET

أخبار التكنولوجيا

متانة الدائرة القصيرة في أجهزة الطاقة العمودية GaN Fin-JFET

دفعت خصائص المواد المتفوقة لنتريد الغاليوم استخدامه في تطبيقات أجهزة الطاقة. تم تسويق جهاز الترانزستور الجانبي عالي الإلكترون (HEMT) على…

Read More »
Back to top button