JFET

أخبار التكنولوجيا

قواطع الدائرة المتقدمة: تعيد تقنية JFET الجديدة ذات 4 متر مكعب من SiC تحديد معايير أجهزة الطاقة

[ad_1] كشفت شركة Qorvo عن أول ترانزستور تأثير مجال الوصلات من كربيد السيليكون (SiC) بقدرة 4 ملي أوم في الصناعة…

أكمل القراءة »
زر الذهاب إلى الأعلى