تم تسريب المواصفات الرئيسية لشرائح Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3: كل التفاصيل

Snapdragon 8 Gen 2 SoC من Qualcomm هو أحدث وأقوى شرائح الشركة. تم استخدامه في بعض الهواتف الذكية المتطورة الجديدة مؤخرًا ، مثل OnePlus 11 5G و iQoo 11 5G والكثير من الحديث عن سلسلة Samsung Galaxy S23. وفقًا للتسريبات الأخيرة ، تم الكشف عن المواصفات الرئيسية لمعالج Qualcomm Snapdragon 8 القادم من الجيل الثالث. من المتوقع أن تقدم الشرائح الجديدة تحسينات كبيرة على سابقتها ، Snapdragon 8 Gen 2 ، من حيث قوة المعالجة وقدرات الرسومات وكفاءة الطاقة.

وفقا ل تسريب بواسطة RGcloudS (RGcloudS) ، ستطلق Qualcomm مجموعة شرائح Snapdragon 8 Gen 3 بنفس تخطيط وحدة المعالجة المركزية مثل Snapdragon 8 Gen 2 ، والذي يحتوي على تكوين 1 + 4 + 3. الآن ، وفقًا لتقرير جديد ، تعمل الشركة على زيادة عدد نوى الأداء مع التضحية بنواة الكفاءة بتكوين 1 + 5 + 2 جديد.

Leaker Revegnus (Tech_Reve) مقترح يقال إن شرائح Snapdragon 8 Gen 3 تحتوي على نواة Cortex-X4 واحدة تعمل بسرعة 3.2 جيجاهرتز. سيحتوي على خمسة أنوية Cortex-A720 تعمل بسرعة 3.0 جيجاهرتز واثنين من نوى Cortex-A520 تعمل بسرعة 2.0 جيجاهرتز. هذا مرجح للغاية ، حيث توقع تسريب آخر أن معالج Snapdragon 8 Gen 3 سيتطلب جميع نوى الأداء التي يمكنه الحصول عليها لتحقيق 1،930 / 6236 نقطة في اختبارات Geekbench الفردية ومتعددة النواة.

تعد ذاكرة UFS 4.1 و LPDDR5 7500 MT / s RAM ووحدة معالجة الرسومات Adreno 750 ومودم Qualcomm X75 5G من بين مواصفات شرائح Snapdragon 8 Gen 3 الأخرى. وفقًا للتسريب ، سيتم بناء Snapdragon 8 Gen 3 على عقدة عملية N4P الخاصة بـ TSMC ، مما يعني أن ثلاثة أجيال من كوالكوم الرئيسية سيتم قفلها على أشكال متعددة فعالة من عقدة TSMC N5.

من المحتمل أن تتطلب تحسينات الأداء الكبيرة المذكورة أعلاه أكثر من مجرد تطوير عقدة ثانوية. Snapdragon 8 Gen 3 عبارة عن شريحة 3 نانومتر من المتوقع أن يتم إنتاجها على العقدة المتطورة من Samsung أو TSMC ، أو على العقدة المتطورة من Samsung و TSMC.